半導体式加熱システムとは、半導体発振器を用いて増幅器、合成器を通して負荷に対し、指定した周波数へ、kWレベルの高周波電力を与えるシステムです。

従来のマグネトロン加熱式より10倍の長寿命を持ち、位相制御することにより均一加熱を実現、また半導体式は多段合成が可能なことから100 kW や1 MW等ものハイパワー出力ができる点で優れています。

現在、化学プラント等を含めた産業分野における加熱システムは、依然化石燃料が使用されています。しかし持続可能な開発を実現する脱炭素社会へ貢献する半導体式加熱システムは、今後が期待されている分野です。

しかし、この実用化に向けては、マグネトロンを上回るために4%の効率を向上する必要があり、最新の半導体トランジスタGaN on SiCを使用したシステム研究及び開発が進められています。

以下に 現在提案させて頂いておりますLDMOSトランジスタを使用した1kW 構成例を提示します。

インピーダンス ：50Ω

発振器 ：-30 dBm ～ +25 dBm 2400 ～ 2500 MHz

電力分配器 ：4分配

増幅器 ：250W出力（ヒートシンクはファン付き又は　水冷タイプを選択）

合成器 ：1 kW 出力

その他 ：

同軸ケーブルアッセンブリ品
制御用PC　又はPLC
AC/DC電源 32VDC (増幅器動作用)

発振周波数、パワーの制御、及び進行波　反射波の確認はPCにインストールしたGUIで可能です。

当社では半導体式加熱システムの構築に最適な増幅器、発振器、分配器、接続ケーブル等、またそれらをシステムアッセンブリするシステム提案をさせていただきます。
詳細は当社ホームページをご覧ください。